STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp
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25 190En existencias
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: 4 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
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7 497En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 4A STripFET
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6 373En existencias
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: 4 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
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17 006En existencias
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: 4 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
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2 047En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 30 Amp
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7 035En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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1 283En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
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3 497En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
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2 217En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
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1 968En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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1 402En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp
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3 370En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 5 Amp
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4 418En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II
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2 220En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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100En existencias
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: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
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133En existencias
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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30En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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82En existencias
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: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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45En existencias
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: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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760En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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816En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
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2 485En existencias
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: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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461En existencias
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: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
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573En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors