4503 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 2.5A N-Channel
Hoja de datos
18 982En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 270
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SOT23 30V 2A 0.110R
Hoja de datos
2 124En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Channel MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N&P Ch Enh FET 30Vds 20Vgs 2.0W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 28 000
Mult.: 28 000
: 28 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5 A, 6.5 A 30 mOhms, 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V, 1 V 5.2 nC, 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 10 A 10 mOhms, 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 13 nC, 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube