5100 Transistores

Resultados: 33
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A 2 100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK 1 011En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A 4 126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-16 N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET 1 857En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V 394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8S N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN 19 747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 790
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power 10 864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm 399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A 1 618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power 212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transist 2 211En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN 667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A 1 015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 69A 272En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A N-Channel 7 462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 440
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK 13 467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY 53En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs GaN Si Screw Mount SOT467C-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A 2 182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET 168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SO8-4 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK 539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A 832En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D 67En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK 1 433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33 320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs