7351 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block
Hoja de datos
3 575En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 32 A 7.4 mOhms, 1.6 mOhms - 8 V, 10 V 2.1 V, 1.15 V 5.9 nC, 17 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block
Hoja de datos
1 915En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 32 A - 8 V, 8 V 1 V, 750 mV 7.7 nC, 22 nC - 55 C + 150 C 12 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
Hoja de datos
12 640En existencias
4 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments CSD87351Q5DG4
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A
Hoja de datos
1 971En existencias
3 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 44 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel