2N26 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Ciss
Hoja de datos
66En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 10 V - 30 V 4 V - 10 mA 5 mA 300 mW 2N26 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Ciss
Hoja de datos
78En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 10 V - 30 V 4 V - 4.5 mA 5 mA 300 mW 2N26 Bulk