CSD19538Q2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
Hoja de datos
29 450En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
Hoja de datos
314En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
Hoja de datos
327En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel