CSD83325L Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT
Hoja de datos
4 815En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 11.9 mOhms - 10 V, 10 V 750 mV 10.9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L
Hoja de datos
445En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT BGA-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.9 mOhms - 10 V, 10 V 950 mV 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel