IF150 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 800
Mult.: 25

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 2 V 3.5 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 2 V 3.5 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 750
Mult.: 50

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 10 V 2 V 3.5 mA 350 mW - 65 C + 175 C IF150 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 800
Mult.: 25

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 3.2 V 10 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 3.2 V 10 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 750
Mult.: 50

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 10 V 3.2 V 10 mA 350 mW - 65 C + 175 C IF150 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 800
Mult.: 25

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 6 V 22 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 10 V 6 V 22 mA 350 mW - 55 C + 150 C IF150 Reel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -10V Low Noise Higher Gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 750
Mult.: 50

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 10 V 6 V 22 mA 350 mW - 65 C + 175 C IF150 Bulk