PJD Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 17.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 532En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 67 A 14.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 48 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 88 A 6.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 783En existencias
3 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
1 125En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel