STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
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3 603En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 300 V 10 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101 MESH OVERLAY Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
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3 767En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp
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3 524En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
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3 993En existencias
2 500En pedido
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
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2 532En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
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3 438En existencias
3 000En pedido
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
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2 957En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
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2 004En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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802En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
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2 087En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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1 960En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
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5 087En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 108 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
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3 598En existencias
3 000En pedido
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 495 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
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2 585En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
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15 833En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
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5 799En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
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5 539En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3.6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
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1 584En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.6 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 64 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
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1 305En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 39 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
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969En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
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1 902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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397En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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692En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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1 784En existencias
2 000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
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4 216En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.3 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel