Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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335En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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593En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
2 394En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
1 500En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 21.5 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,SOT-23
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403En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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683En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
19 340En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 250 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
2 975En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 750 mA 380 mOhms - 12 V, 12 V 350 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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No en existencias
Min.: 3 000
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: 3 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 12 000
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
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No en existencias
Min.: 5 000
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Si Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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: 5 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-251
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2-PAK MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN MOSFET No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-251
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 600
Mult.: 800

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 85 V 110 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220F MOSFET
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Min.: 1 000
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Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 75 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 85 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 48 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8 MOSFET No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement Tube