Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOT-23
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 12 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 27 mOhms - 12 V, 12 V 450 mV 8 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 12 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 94 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-2 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 72 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 7 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9.1 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 10 A 10 mOhms, 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 13 nC, 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 19 V 45 A 7 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 55 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOP-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 7 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A, 7 A 30 mOhms, 33 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.5 V 13 nC, 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SOT-23
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 15 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 400
Mult.: 800

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220F MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 28.5 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 600
Mult.: 800

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 90.3 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D-PAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 50 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 84 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si Reel