STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
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39 130En existencias
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Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
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1 381En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 9 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A
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1 603En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 92 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
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921En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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3 279En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
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1 263En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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1 640En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
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1 086En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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478En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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660En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
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1 951En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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2 428En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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1 580En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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4 481En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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1 755En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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1 163En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
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4 060En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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7 920En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
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3 202En existencias
5 000En pedido
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 4.4 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16.9 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement UltraFASTmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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3 605En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
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5 579En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.5 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2 662En existencias
2 500En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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4 840En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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3 063En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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1 638En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube