297 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT
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1 768En existencias
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Min.: 1
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: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT
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927En existencias
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Min.: 1
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: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T
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133En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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385En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 941En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 940 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.2 A 2.22 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002AKW/SOT323/SC-70
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55 706En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 330 pC - 55 C + 150 C 255 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel