297 Transistores

Resultados: 41
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT
Hoja de datos
1 768En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 500

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT
Hoja de datos
927En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Hoja de datos
Plazo de entrega 24 Semanas
Min.: 1
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GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-16 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Hoja de datos
554En existencias
Más información disponible
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
Microchip Technology 2N6297
Microchip Technology Transistores Darlington Power BJT
Hoja de datos
53En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Darlington Transistors
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T
Hoja de datos
133En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole PNP

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-20 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 20W, 32V GaN RF Tr
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

GaN FETs GaN
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS
Hoja de datos
3 279En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 279
: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1110D-3 NPN
Toshiba Transistores digitales US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Digital Transistors SMD/SMT SM-6 PNP

Infineon Technologies Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
Hoja de datos
40 992En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
Microchip Technology 2N2978
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2979
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2976
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2974
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2977
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2973
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N2975
Microchip Technology Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Small-Signal BJT Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 100
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 50W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Min.: 60
Mult.: 30

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-66-2 PNP
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS
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35En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 35
: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1110D-3 NPN
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
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208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors