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IXYS MOSFETs de SiC

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Fabricante = IXYS

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: ₡5 805,80
88En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA65N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA65N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

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Hoja de datos

88En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

₡5 805,80

₡4 292,00

₡3 190,00

₡2 604,20

Envase tipo carrete

₡2 598,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: ₡5 811,60
87En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH65N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH65N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

87En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

₡5 811,60

₡4 408,00

₡3 671,40

Envase tipo carrete

₡3 271,20

₡2 917,40

Min.: 1
Mult.: 1

: 450

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: ₡11 431,80
4 159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0080

N.º de artículo de Mouser
576-LSICMO120E0080

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4 159En existencias

₡11 431,80

₡9 007,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

80 mOhms

- 5 V, + 20 V

2.8 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

LSIC1MO120E0160
IXYS
1: ₡7 244,20
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0160

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120E0160

IXYS

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

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Hoja de datos

548En existencias

₡7 244,20

₡5 950,80

₡5 707,20

₡5 701,40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

22 A

200 mOhms

- 5 V, + 20 V

1.8 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

LSIC1MO170E0750
IXYS
1: ₡4 814,00
1 867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO170E0750

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO170E0750

IXYS

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

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Hoja de datos

1 867En existencias

₡4 814,00

₡2 830,40

₡2 778,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6.2 A

1 Ohms

- 5 V, + 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L

LSIC1MO120G0040
IXYS
1: ₡15 828,20
423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120G0040

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120G0040

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L

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Hoja de datos

423En existencias

₡15 828,20

₡13 142,80

₡12 968,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

70 A

50 mOhms

- 5 V, + 20 V

4 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: ₡6 449,60
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA110N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA110N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

₡6 449,60

₡4 924,20

₡4 106,40

₡3 584,40

Envase tipo carrete

₡2 987,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: ₡3 584,40
894En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA20N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA20N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

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Hoja de datos

894En existencias

Cinta cortada

₡3 584,40

₡2 749,20

₡2 221,40

₡1 972,00

Envase tipo carrete

₡1 687,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: ₡4 216,60
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

₡4 216,60

₡2 952,20

₡2 662,20

₡2 192,40

Envase tipo carrete

₡2 122,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: ₡5 266,40
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA60N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA60N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

₡5 266,40

₡2 726,00

Envase tipo carrete

₡2 726,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: ₡6 449,60
2 090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG110N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG110N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2 090En existencias

Cinta cortada

₡6 449,60

₡4 924,20

₡4 106,40

₡3 729,40

Envase tipo carrete

₡3 103,00

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: ₡4 303,60
2 095En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG40N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG40N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2 095En existencias

Cinta cortada

₡4 303,60

₡2 917,40

₡2 204,00

₡2 088,00

Envase tipo carrete

₡1 798,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: ₡5 237,40
2 100En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG60N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG60N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2 100En existencias

Cinta cortada

₡5 237,40

₡3 810,60

₡3 172,60

₡2 830,40

₡2 517,20

Envase tipo carrete

₡2 517,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: ₡6 571,40
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH100N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH100N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

₡6 571,40

₡5 046,00

₡3 671,40

₡3 665,60

₡3 056,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: ₡3 416,20
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH20N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH20N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

550En existencias

Cinta cortada

₡3 416,20

₡2 581,00

₡2 088,00

Envase tipo carrete

₡1 850,20

₡1 583,40

Min.: 1
Mult.: 1

: 450

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: ₡4 355,80
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH40N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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Hoja de datos

550En existencias

₡4 355,80

₡3 074,00

₡2 563,60

₡2 279,40

₡2 030,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: ₡5 249,00
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH60N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH60N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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Hoja de datos

550En existencias

₡5 249,00

₡3 903,40

₡3 253,80

₡2 900,00

₡2 581,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ25N120R1
IXYS
1: ₡7 969,20
388En existencias
400En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ25N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ25N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

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Hoja de datos

388En existencias

400En pedido

₡7 969,20

₡5 950,80

₡5 144,60

₡4 866,20

₡4 129,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

52 nC

- 40 C

+ 150 C

75.3 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ43N120R1
IXYS
1: ₡10 817,00
478En existencias
400En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ43N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ43N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

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Hoja de datos

478En existencias

400En pedido

₡10 817,00

₡8 659,40

₡7 487,80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

45 A

47 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

IXSJ43N120R1K
IXYS
1: ₡11 066,40
286En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ43N120R1K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ43N120R1K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

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Hoja de datos

286En existencias

Más información disponible

₡11 066,40

₡8 265,00

₡7 145,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISO247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

46 A

47 mOhms

21 V

4.8 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

143.7 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

IXSJ80N120R1
IXYS
1: ₡17 649,40
472En existencias
400En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSJ80N120R1

N.º de artículo de Mouser
747-IXSJ80N120R1

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

472En existencias

400En pedido

₡17 649,40

₡14 749,40

₡12 899,20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

85 A

22.5 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

154 nC

- 40 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini

IXFN27N120SK
IXYS
1: ₡31 238,80
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN27N120SK

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN27N120SK

IXYS

MOSFETs de SiC SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini

Hoja de datos

14En existencias

₡31 238,80

₡28 942,00

₡22 788,20

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

HiPerFET

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA40N120L2-7TR
IXYS
1: ₡4 773,40
795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

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₡4 773,40

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

IXSA80N120L2-7TR
IXYS
1: ₡6 960,00
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N.º de artículo del Fabricante
IXSA80N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA80N120L2-7TR

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MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

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Cinta cortada

₡6 960,00

₡5 666,60

₡4 437,00

₡4 210,80

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₡4 071,60

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

79 A

39 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH40N120L2KHV
IXYS
1: ₡5 046,00
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IXSH40N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N120L2KHV

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MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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₡4 848,80

₡4 756,00

Min.: 1
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TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

104 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

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IXYS MOSFETs de SiC

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