MOSFETs de SiC

MOSFETs de SiC
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Resultados: 1 298
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial


Diodes Incorporated SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Hoja de datos

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Coherent SiC MOSFETs 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Hoja de datos

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Hoja de datos

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
663En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Hoja de datos
523En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Hoja de datos

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
746En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1 330En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
2 010En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
2 008En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
1 492En existencias
1 800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
3 299En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3 914En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
1 281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Hoja de datos
1 145En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC