Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50N06-09L_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 57A 300W
SUP57N20-33-E3
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 800V 4.1 Amp
IRFBE30LPBF
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844-IRFBE30LPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 800V 4.1 Amp
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TO-262-3
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IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
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AFGHL40T65SQD
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IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
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NTHL110N65S3F
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863-NTHL110N65S3F
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
NVMFD024N06CT1G
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863-NVMFD024N06CT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
+3 imágenes
NVMTS0D6N04CLTXG
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863-NVMTS0D6N04CLTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
4 518 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PQFN-88-8
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
SBC847BPDXV6T1G
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863-SBC847BPDXV6T1G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
358 335 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
NPN, PNP
GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
CGHV1J070D-GP4
MACOM
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N.º de artículo de Mouser
941-CGHV1J070D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70 En existencias
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
Die
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
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BU508AF
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511-BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
12 594 En existencias
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71 035 En existencias
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Ver
1 000
₡151
5 000
₡129
10 000
₡128
25 000
₡125
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Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
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20 021 En existencias
21 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20 021 En existencias
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₡482
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1:
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4 710 En existencias
1 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
4 710 En existencias
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1 000
₡1 873
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
+1 imagen
FCH190N65F-F155
onsemi
1:
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6 020 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
6 020 En existencias
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Ver
1 020
₡1 902
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
+1 imagen
FDD86250
onsemi
1:
₡1 253
28 021 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86250
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
28 021 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC86240
onsemi
1:
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55 184 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMC86240
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
55 184 En existencias
1
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3 000
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3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Power-33-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS86550ET60
onsemi
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3 387 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86550ET60
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
3 387 En existencias
1
₡5 179
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
FDPF20N50T
onsemi
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7 358 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
7 358 En existencias
1
₡2 941
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2 000
₡1 119
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₡1 102
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
+2 imágenes
FDS3692
onsemi
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₡1 230
30 422 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
FDS3692
N.º de artículo de Mouser
512-FDS3692
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
30 422 En existencias
1
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₡331
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₡274
25 000
₡273
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Mult.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
FQA8N100C
onsemi
1:
₡2 830
10 863 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FQA8N100C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
10 863 En existencias
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10
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₡1 688
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel