Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
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1 439En existencias
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MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET
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1 680En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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1 789En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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20 792En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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4 244En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A
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8 650En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8PT N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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24 004En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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12 691En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
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18 460En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
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4 648En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1 479En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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42 680En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
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16 160En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N Chnl HDMOS
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
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73 616En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 300V 300mW
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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1 950En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel
IXYS Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
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MOSFETs Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel