Transistores

 Transistores
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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 422En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 826En existencias
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GaN FETs GaN Screw Mount 440166 N-Channel
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 129En existencias
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GaN FETs GaN Screw Mount 440193 N-Channel


Mitsubishi Electric Módulos IGBT Mini DIPIPM Version 7 6-PAC 11En existencias
9En pedido
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IGBT Modules Si
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 3 000En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL 78En existencias
50En pedido
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IGBT Modules Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 4 548En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP 856En existencias
1 000En pedido
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3 4 463En existencias
800En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

THAT Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14 304En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole DIP-14 NPN, PNP
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET 119En existencias
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JFETs Si Through Hole TO-18-3
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE S-SERIES DUAL 26En existencias
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IGBT Modules Si
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial 6 403En existencias
550En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified 2 402En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC 4 430En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
Qorvo Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor 93En existencias
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: 100

RF Bipolar Transistors GaN Si SMD/SMT QFN-20
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL 108En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount
Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL 58En existencias
120En pedido
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IGBT Modules Si Screw Mount
Mitsubishi Electric Módulos IGBT Super Mini DIPIPM Version 6 6-PAC 270En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount
Diodes Incorporated DSS4310FJAWQ-7
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K 2 541En existencias
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: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors
Diodes Incorporated DMN3011LSSQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K 1 343En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 30En existencias
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SiC MOSFETS
Diodes Incorporated DMN3059LCA3-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K 9 864En existencias
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: 10 000

MOSFETs
Infineon Technologies Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode 23En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module 26En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount