MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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NVHL160N120SC1
onsemi
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863-NVHL160N120SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
CG2H40010F
MACOM
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941-CG2H40010F
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
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GaN FETs
GaN
Screw Mount
440166
N-Channel
GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
CGH40045F
MACOM
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941-CGH40045F
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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GaN FETs
GaN
Screw Mount
440193
N-Channel
Módulos IGBT Mini DIPIPM Version 7 6-PAC
360°
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PSS50S73F6
Mitsubishi Electric
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917-PSS50S73F6
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT Mini DIPIPM Version 7 6-PAC
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IGBT Modules
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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78-SIRA00DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
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Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
CM200DU-12NFH
Mitsubishi Electric
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Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
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IGBT Modules
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
Infineon Technologies
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726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
856 En existencias
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Embalaje alternativo
1
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3
SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3
4 463 En existencias
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₡2 326
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14
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340P14-U
THAT
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304 En existencias
N.º de artículo de Mouser
887-340P14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14
304 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
DIP-14
NPN, PNP
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
MQ2N5116
Microchip Technology
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579-MQ2N5116
Microchip Technology
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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JFETs
Si
Through Hole
TO-18-3
Módulos IGBT IGBT MODULE S-SERIES DUAL
CM450DY-24S
Mitsubishi Electric
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917-CM450DY-24S
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE S-SERIES DUAL
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IGBT Modules
Si
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial
TTC3710B,S4X
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TTC3710BS4X
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial
6 403 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
2 402 En existencias
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₡1 433
10
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₡609
500
₡496
2 000
₡415
4 000
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₡439
4 000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
IRFSL3207ZPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFSL3207ZPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
4 430 En existencias
1
₡2 552
10
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₡1 311
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₡1 148
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1 000
₡1 032
5 000
₡1 027
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor
QPD0020
Qorvo
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N.º de artículo del Fabricante
QPD0020
N.º de artículo de Mouser
772-QPD0020
Qorvo
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor
93 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡39 834
25
₡30 340
100
₡27 869
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RF Bipolar Transistors
GaN Si
SMD/SMT
QFN-20
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM450DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
1:
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N.º de artículo de Mouser
917-CM450DX-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
108 En existencias
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM600DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
1:
₡111 673
58 En existencias
120 En pedido
N.º de artículo de Mouser
917-CM600DX-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
58 En existencias
120 En pedido
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
Módulos IGBT Super Mini DIPIPM Version 6 6-PAC
PSS05S92F6-AG
Mitsubishi Electric
1:
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270 En existencias
N.º de artículo de Mouser
917-PSS05S92F6-AG
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT Super Mini DIPIPM Version 6 6-PAC
270 En existencias
1
₡9 582
12
₡7 418
108
₡6 409
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Detalles
IGBT Modules
Si
Screw Mount
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
Diodes Incorporated DSS4310FJAWQ-7
DSS4310FJAWQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡592
2 541 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DSS4310FJAWQ-7
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
2 541 En existencias
1
₡592
10
₡425
100
₡264
500
₡182
3 000
₡137
6 000
Ver
1 000
₡153
6 000
₡118
9 000
₡109
24 000
₡98,6
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3 000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
Diodes Incorporated DMN3011LSSQ-13
DMN3011LSSQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡499
1 343 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3011LSSQ-13
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
1 343 En existencias
1
₡499
10
₡305
100
₡201
500
₡158
2 500
₡111
5 000
Ver
1 000
₡135
5 000
₡102
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Min.: 1
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Carrete :
2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated
1:
₡10 167
30 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H37SM4
Nuevo producto
Diodes Incorporated
MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
30 En existencias
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Detalles
SiC MOSFETS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
Diodes Incorporated DMN3059LCA3-7
DMN3059LCA3-7
Diodes Incorporated
1:
₡232
9 864 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMN3059LCA3-7
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
9 864 En existencias
1
₡232
10
₡173
100
₡98
500
₡66,1
10 000
₡34,2
20 000
Ver
1 000
₡50,5
2 500
₡44,7
5 000
₡38,9
20 000
₡31,3
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10 000
Detalles
MOSFETs
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
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23 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-3L400R10W3S7FB11
Infineon Technologies
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
23 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
1:
₡87 267
26 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
26 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Screw Mount