Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
1:
₡331
147 551 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BC847BVN-7
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
147 551 En existencias
1
₡331
10
₡189
100
₡131
500
₡98,6
1 000
₡88,2
3 000
₡58,6
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
₡278
268 797 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
268 797 En existencias
1
₡278
10
₡157
100
₡109
500
₡81,8
1 000
₡73,1
3 000
₡51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
BY228GP-E3/54
Vishay Semiconductors
1:
₡2 419
17 956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-BY228GP-E3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
17 956 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 419
10
₡1 154
100
₡945
500
₡899
1 400
₡899
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 400
Detalles
Rectifiers
Through Hole
DO-201AD
Rectificadores en puente 40A,800V Enhanced Power Bridge
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
1:
₡2 923
9 974 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 40A,800V Enhanced Power Bridge
9 974 En existencias
1
₡2 923
10
₡1 792
100
₡1 398
500
₡1 311
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Bridge Rectifiers
Through Hole
SIP-4
Rectificadores en puente 45 A 600 Volts Enhanced Power
PB5006-E3/45
Vishay Semiconductors
1:
₡3 178
9 016 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-PB5006-E3
Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 45 A 600 Volts Enhanced Power
9 016 En existencias
1
₡3 178
10
₡1 769
100
₡1 450
500
₡1 322
1 000
₡1 270
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Bridge Rectifiers
Through Hole
SIP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡829
74 594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
74 594 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡829
10
₡520
100
₡345
500
₡273
5 000
₡225
10 000
Ver
1 000
₡245
2 500
₡225
10 000
₡223
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 210
7 871 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
7 871 En existencias
1
₡2 210
10
₡1 253
100
₡1 015
480
₡1 009
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
IXYS
1:
₡3 213
8 959 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
8 959 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 213
10
₡1 612
100
₡1 485
500
₡1 415
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
IXFK240N25X3
IXYS
1:
₡18 647
655 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
655 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
+1 imagen
IXFX64N60P
IXYS
1:
₡13 549
1 148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
1 148 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
IXYS
1:
₡7 731
2 003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
2 003 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
1:
₡27 190
408 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
408 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
IXYS
1:
₡19 546
686 En existencias
300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
686 En existencias
300 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-PLUS-3
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
IXYS
1:
₡11 095
1 397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
IXYS
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
1 397 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
+1 imagen
IXYX110N120B4
IXYS
1:
₡13 114
1 256 En existencias
150 Se espera el 21/5/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
1 256 En existencias
150 Se espera el 21/5/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
₡13 195
1 258 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1 258 En existencias
1
₡13 195
10
₡9 344
100
₡8 509
450
₡8 503
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-247N-3
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
₡24 673
389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
389 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
1SS306TE85LF
Toshiba
1:
₡1 015
21 380 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-1SS306TE85LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
21 380 En existencias
1
₡1 015
10
₡562
100
₡558
500
₡535
1 000
₡522
3 000
₡474
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SC-61
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
₡2 407
44 956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44 956 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
PMEG100T150ELPEZ
Nexperia
1:
₡824
90 603 En existencias
5 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
771-PMEG100T150ELPEZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
90 603 En existencias
5 000 En pedido
1
₡824
10
₡517
100
₡343
500
₡269
5 000
₡196
10 000
Ver
1 000
₡231
2 500
₡227
10 000
₡189
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOT-1289B-3 (CFP15B-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
+2 imágenes
SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
₡603
59 560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59 560 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡603
10
₡285
100
₡216
500
₡185
1 000
₡173
3 000
₡143
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡400
330 056 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
330 056 En existencias
1
₡400
10
₡248
100
₡160
500
₡121
3 000
₡92,8
6 000
Ver
1 000
₡109
6 000
₡84,7
9 000
₡80,6
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
+2 imágenes
SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡835
158 439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
158 439 En existencias
1
₡835
10
₡527
100
₡349
500
₡272
3 000
₡216
6 000
Ver
1 000
₡248
6 000
₡202
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSOP-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB17N80E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡3 439
7 234 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
7 234 En existencias
1
₡3 439
10
₡2 303
100
₡1 659
500
₡1 549
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS184DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 322
23 258 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIS184DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
23 258 En existencias
1
₡1 322
10
₡853
100
₡577
500
₡461
1 000
₡446
3 000
₡423
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8