Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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1.805 GHz to 1.88 GHz
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1.805 GHz to 1.99 GHz
150 W
+ 225 C
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PXFC191507FC-V1-R250
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248G-4/2
Si
1.805 GHz to 1.99 GHz
150 W
+ 225 C
20.5 dB
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PXFC192207FH-V3-R250
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SMD/SMT
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Si
1.805 GHz to 1.99 GHz
220 W
+ 225 C
20.5 dB
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PXFE181507FC-V1-R0
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941-PXFE181507FCV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R2
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941-PXFE181507FCV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R0
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₡40 832
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941-PXFE211507FCV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250:
₡36 784
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941-PXFE211507FCV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
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Mult.: 250
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Single NPN 21GHz
BFU660F,115
NXP Semiconductors
1:
₡592
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU660F115
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Single NPN 21GHz
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
₡592
10
₡367
100
₡240
500
₡184
1 000
₡162
3 000
₡133
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-343F-4
Bipolar Wideband
Si
21 GHz
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
BFU725F/N1,115
NXP Semiconductors
1:
₡516
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU725FN1115
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
Plazo de entrega 53 Semanas
1
₡516
10
₡319
100
₡218
500
₡171
1 000
₡143
3 000
₡117
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-343F-4
Bipolar Wideband
SiGe
55 GHz
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
BFU730F,115
NXP Semiconductors
1:
₡435
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU730F115
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
₡435
10
₡309
100
₡227
500
₡188
1 000
₡170
3 000
₡136
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-343F-4
Bipolar Wideband
SiGe
55 GHz
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6E 25W50V TO270-2G
MRFE6VS25GNR1
NXP Semiconductors
1:
₡39 921
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VS25GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6E 25W50V TO270-2G
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡39 921
10
₡34 684
100
₡30 334
500
₡30 334
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270G-2
Si
1.8 MHz to 2 GHz
25 W
- 40 C
+ 150 C
27 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
MRF150
MACOM
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo del Fabricante
MRF150
N.º de artículo de Mouser
937-MRF150
Pedido especial de fábrica
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
221-11-3
Si
150 MHz
150 W
- 65 C
+ 150 C
17 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
MRF151
MACOM
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
N.º de artículo del Fabricante
MRF151
N.º de artículo de Mouser
937-MRF151
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
221-11-3
Si
175 MHz
150 W
- 65 C
+ 150 C
13 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
MRF151G
MACOM
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo del Fabricante
MRF151G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF151G
Pedido especial de fábrica
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Si
175 MHz
300 W
- 65 C
+ 150 C
14 dB
Tray
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
MRF455
MACOM
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo del Fabricante
MRF455
N.º de artículo de Mouser
937-MRF455
Pedido especial de fábrica
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Detalles
RF Bipolar Transistors
Screw Mount
211-07
Bipolar Power
Si
30 MHz
- 65 C
+ 150 C
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA084858NF-V1
MACOM
1:
₡429 838
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA084858NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA095908NB-V1
MACOM
1:
₡429 838
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA095908NBV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
LTA/PTRA097058NB-V1
MACOM
1:
₡429 838
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA097058NBV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
No en existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk