Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
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511-RF5L08350CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B4E-5
Si
1 GHz
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BLF981SU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT-467B-2
LDMOS
170 W
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BLF981U
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT-467C-2
LDMOS
170 W
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981XY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
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RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2F-1
LDMOS
170 W
+ 225 C
23.8 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
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511-RF2L16180CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B4E-5
Si
1.6 GHz
180 W
+ 200 C
14 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
ART1K9FHU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539A-5
LDMOS
1 MHz to 500 MHz
1.9 kW
+ 225 C
24.6 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
ART2K0TFEGJ
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94-ART2K0TFEGJ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
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₡143 509
100
₡143 509
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Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
ACC-1230-6G-2-7
LDMOS
+ 225 C
29 dB
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
MRF429
MACOM
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MRF429
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937-MRF429
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
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Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
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ARF463AP1G
Microchip Technology
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494-ARF463AP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
301 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
100 MHz
100 W
- 55 C
+ 150 C
15 dB
Tube
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
HFA3096BZ
Renesas / Intersil
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968-HFA3096BZ
Renesas / Intersil
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
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480
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Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOIC-Narrow-16
Bipolar
Si
8 GHz, 5.5 GHz
- 55 C
+ 125 C
Tube
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) FSB560A-SN00165
NSVFSB560ALT1G
onsemi
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863-NSVFSB560ALT1G
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onsemi
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) FSB560A-SN00165
2 773 En existencias
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100
₡223
500
₡172
3 000
₡135
6 000
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1 000
₡155
6 000
₡125
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Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-23-3
Bipolar
Si
- 55 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
ART150PEGXY
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94-ART150PEGXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
144 En existencias
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₡36 987
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₡29 516
100
₡27 562
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Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
LDMOS
1 MHz to 650 MHz
150 W
+ 225 C
31.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
ART150PEXY
Ampleon
1:
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N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
72 En existencias
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₡36 975
10
₡29 510
100
₡27 562
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Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
LDMOS
1 MHz to 650 MHz
150 W
+ 225 C
31.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
ART700FHSU
Ampleon
1:
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94-ART700FHSU
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
58 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT1214B-5
LDMOS
1 MHz to 450 MHz
700 W
+ 225 C
28.6 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
ART800PEGY
Ampleon
1:
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N.º de artículo de Mouser
94-ART800PEGY
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
82 En existencias
1
₡84 326
10
₡71 502
100
₡66 839
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
OMP-780-4G-1-4
LDMOS
1 MHz to 650 MHz
800 W
+ 225 C
29.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
B11G3742N81DYZ
Ampleon
1:
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N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DYZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
219 En existencias
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₡42 415
10
₡34 510
100
₡31 384
300
₡31 256
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
QFN-36
LDMOS
3.7 GHz to 4.2 GHz
48.5 dBm
+ 200 C
36 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF944P/SOT1228/TRAY
BLF944PU
Ampleon
1:
₡108 066
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N.º de artículo de Mouser
94-BLF944PU
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF944P/SOT1228/TRAY
56 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT1228A-5
LDMOS
1.3 GHz
135 W
+ 225 C
20.3 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
BLP5LA55SGXY
Ampleon
1:
₡14 738
125 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SGXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
125 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡14 738
10
₡11 136
100
₡10 875
500
₡10 162
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
LDMOS
520 MHz
55 W
+ 225 C
19.6 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD
BLP9H10S-850AVTY
Ampleon
1:
₡52 281
190 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-850AVTY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD
190 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡52 281
10
₡41 516
100
₡40 032
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
OMP-1230-6F-1-7
LDMOS
617 MHz to 960 MHz
850 W
- 40 C
+ 125 C
17.8 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD55003L-E
STMicroelectronics
1:
₡4 460
3 632 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3 632 En existencias
1
₡4 460
10
₡3 202
100
₡2 790
500
₡2 738
3 000
₡2 738
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Si
1 GHz
3 W
- 65 C
+ 150 C
17 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015S-E
STMicroelectronics
1:
₡13 375
310 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
310 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡13 375
10
₡10 945
100
₡9 669
400
₡9 025
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
15 W
- 65 C
+ 150 C
14 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-10W
STMicroelectronics
1:
₡54 839
305 En existencias
300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
305 En existencias
300 En pedido
1
₡54 839
10
₡45 315
100
₡40 809
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M174
Si
230 MHz
150 W
+ 150 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
360°
+5 imágenes
SD2932W
STMicroelectronics
1:
₡117 543
108 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
108 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M244
Si
250 MHz
300 W
+ 150 C
16 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
₡50 843
298 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
298 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
1.8 MHz to 250 MHz
330 W
- 40 C
+ 150 C
20.4 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
₡19 198
1 311 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
1 311 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡19 198
10
₡14 889
100
₡13 363
500
₡13 108
1 000
Ver
1 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
136 MHz to 520 MHz
33 W
- 40 C
+ 150 C
17.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel