Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
MRF171A
MACOM
1:
₡47 444
41 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
MRF171A
N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
41 En existencias
1
₡47 444
10
₡36 697
100
₡35 345
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4.5 A
65 V
150 MHz
17 dB
45 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
211-07-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
+4 imágenes
MWT-PH33F
CML Micro
10:
₡10 051
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
30 En existencias
10
₡10 051
30
₡10 034
100
₡8 259
250
₡7 749
500
Ver
500
₡7 656
10 000
Presupuesto
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Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
N-Channel
GaAs
26 GHz
14 dB
24 dBm
SMD/SMT
Die
Gel Pack
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
TAV1-331+
Mini-Circuits
1:
₡9 564
61 En existencias
N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331
Mini-Circuits
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
61 En existencias
1
₡9 564
20
₡1 241
500
₡1 166
1 000
₡1 160
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
GaAs
60 mA
4 V
10 MHz to 4 GHz
12 dB
21.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
MCLP-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL
BLP0427M9S20GXY
Ampleon
1:
₡15 318
78 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL
78 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡15 318
10
₡12 801
100
₡10 556
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
500 mOhms
400 MHz to 2.7 GHz
19 dB
20 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
₡11 704
486 En existencias
500 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
486 En existencias
500 En pedido
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
BLP15M9S70XY
Ampleon
1:
₡15 103
77 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70XY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
77 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡15 103
10
₡12 621
100
₡10 405
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
185 mOhms
2 GHz
17.8 dB
70 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465AG
ARF465AG
Microchip Technology
1:
₡35 856
277 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
277 En existencias
1
₡35 856
10
₡30 305
25
₡30 061
100
₡26 239
250
Ver
250
₡25 584
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
6 A
1.2 kV
60 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
Microchip Technology VRF2933MP
VRF2933MP
Microchip Technology
1:
₡162 638
17 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
17 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
42 A
180 V
150 MHz
25 dB
300 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH9F
CML Micro
10:
₡41 540
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaAs
180 mA to 220 mA
7.5 V
26 GHz
13 dB
28 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD54003-E
STMicroelectronics
1:
₡6 931
115 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
115 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
25 V
1 GHz
12 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
360°
+5 imágenes
DU2820S
MACOM
1:
₡43 251
22 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
DU2820S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
22 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
24 A
65 V
175 MHz
13 dB
20 W
+ 200 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
MWT-LN300
CML Micro
10:
₡17 632
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN300
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
50 En existencias
10
₡17 632
30
₡17 435
50
₡17 104
100
₡16 913
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
STMicroelectronics
1:
₡12 615
576 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
576 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡12 615
10
₡9 466
100
₡8 845
600
₡8 694
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
40 V
1 GHz
14 dB
15 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1:
₡2 772
430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
430 En existencias
1
₡2 772
10
₡2 221
100
₡1 798
500
₡1 595
1 000
₡1 409
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
12 V
470 MHz
11.5 dB
36.5 dBm
+ 150 C
SMD/SMT
PW-X-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH15F
CML Micro
10:
₡63 713
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaAs
150 mA to 190 mA
7.5 V
28 GHz
12 dB
28 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1:
₡68 428
90 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
90 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
65 V
80 mOhms
2.62 GHz to 2.69 GHz
13.5 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
ARF468AG
Microchip Technology
1:
₡37 990
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
1 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BP1G
ARF463BP1G
Microchip Technology
1:
₡26 117
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
1
₡26 117
10
₡23 792
100
₡17 934
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
9 A
500 V
100 MHz
15 dB
100 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
₡111 731
18 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
18 En existencias
1
₡111 731
10
₡91 536
100
₡91 536
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
MACOM MRF175GU
MRF175GU
MACOM
1:
₡155 544
4 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
4 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
ARF465BG
Microchip Technology
1:
₡36 575
22 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
22 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
6 A
1.2 kV
60 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
MWT-PH27F71
CML Micro
1:
₡32 503
3 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
3 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel
GaAs
26 GHz
16 dB
25 dBm
SMD/SMT
Die
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
MACOM DU2810S
DU2810S
MACOM
1:
₡42 555
51 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
DU2810S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
51 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.8 A
65 V
175 MHz
13 dB
10 W
+ 200 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
CLF24H4LS300PU
Ampleon
1:
₡168 241
120 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
120 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
GaN SiC
50 V
2.4 GHz to 2.5 GHz
16 dB
300 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1214B-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
₡100 050
110 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
110 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
110 V
1 Ohms
1 GHz
19 dB
400 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel