Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
MWT-PH8F
CML Micro
10:
₡52 658
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaAs
250 mA to 300 mA
8 V
18 GHz
11 dB
30 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH9F
CML Micro
10:
₡41 551
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaAs
180 mA to 220 mA
7.5 V
26 GHz
13 dB
28 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
STMicroelectronics
1:
₡12 615
576 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
576 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡12 615
10
₡9 466
100
₡8 572
600
₡8 572
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
40 V
1 GHz
14 dB
15 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1:
₡2 772
430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
430 En existencias
1
₡2 772
10
₡2 221
100
₡1 798
500
₡1 595
1 000
₡1 409
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
12 V
470 MHz
11.5 dB
36.5 dBm
+ 150 C
SMD/SMT
PW-X-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
MWT-PH15F
CML Micro
10:
₡63 881
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
100 En existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
GaAs
150 mA to 190 mA
7.5 V
28 GHz
12 dB
28 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1:
₡68 428
90 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
90 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡68 428
10
₡56 921
100
₡52 583
250
₡52 583
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
65 V
80 mOhms
2.62 GHz to 2.69 GHz
13.5 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
ARF468AG
Microchip Technology
1:
₡37 990
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
1 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
₡111 743
18 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
18 En existencias
1
₡111 743
10
₡91 234
100
₡91 228
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BP1G
ARF463BP1G
Microchip Technology
1:
₡26 117
22 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
22 En existencias
1
₡26 117
10
₡24 093
100
₡17 934
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
9 A
500 V
100 MHz
15 dB
100 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF141
VRF141
Microchip Technology
1:
₡36 465
24 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
VRF141
N.º de artículo de Mouser
494-VRF141
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
24 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
20 A
80 V
175 MHz
22 dB
150 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
ARF465BG
Microchip Technology
1:
₡35 856
22 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
22 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
6 A
1.2 kV
60 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
MACOM MRF175GU
MRF175GU
MACOM
1:
₡155 544
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
5 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
CLF24H4LS300PU
Ampleon
1:
₡168 241
120 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
120 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
GaN SiC
50 V
2.4 GHz to 2.5 GHz
16 dB
300 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1214B-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
₡100 050
110 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
110 En existencias
1
₡100 050
10
₡84 958
120
₡81 362
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
110 V
1 Ohms
1 GHz
19 dB
400 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
BLF981SU
Ampleon
1:
₡77 558
55 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
55 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
24 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT-467B-2
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
BLF981U
Ampleon
1:
₡77 558
31 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
31 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
24 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT-467C-2
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981XY
Ampleon
1:
₡36 517
58 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
58 En existencias
1
₡36 517
10
₡28 606
100
₡27 190
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
23.8 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
ART1K9FHU
Ampleon
1:
₡150 516
189 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
189 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
55 V
69 mOhms
1 MHz to 500 MHz
24.6 dB
1.9 kW
+ 225 C
Screw Mount
SOT539A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
ART2K0TFEGJ
Ampleon
1:
₡146 862
82 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
82 En existencias
1
₡146 862
10
₡143 509
100
₡143 509
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
107 mOhms
29 dB
+ 225 C
SMD/SMT
ACC-1230-6G-2-7
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1:
₡100 044
20 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
20 En existencias
1
₡100 044
10
₡81 362
120
₡81 362
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF463AP1G
Microchip Technology
1:
₡26 117
301 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
301 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
9 A
500 V
100 MHz
15 dB
100 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
ART150PEGXY
Ampleon
1:
₡36 987
144 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEGXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
144 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡36 987
10
₡29 516
100
₡27 562
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
497 mOhms
1 MHz to 650 MHz
31.2 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
ART150PEXY
Ampleon
1:
₡36 975
72 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
72 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡36 975
10
₡29 510
100
₡27 562
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
497 mOhms
1 MHz to 650 MHz
31.2 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
ART700FHSU
Ampleon
1:
₡108 008
58 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHSU
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
58 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
55 V
171 mOhms
1 MHz to 450 MHz
28.6 dB
700 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1214B-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
ART800PEGY
Ampleon
1:
₡84 326
82 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART800PEGY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
82 En existencias
1
₡84 326
10
₡71 502
100
₡66 839
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
200 mOhms
1 MHz to 650 MHz
29.2 dB
800 W
+ 225 C
SMD/SMT
OMP-780-4G-1-4
Reel, Cut Tape, MouseReel