Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 915 MHz 750 W + 225 C 21.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 21.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 1.3 GHz 750 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 140 W + 225 C 19 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 140 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1135B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1135B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Broadband pwr LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1121B-5 LDMOS 1.5 GHz 200 W + 225 C 17.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984PS/SOT1121/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1121B-5 LDMOS 30 MHz to 860 MHz 450 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989ES/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 1 kW + 225 C 20 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989S/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 900 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT539A-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 900 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 1.2 GHz to 1.4 GHz 600 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.5 Hz to 2.7 Hz 45.7 dBm + 200 C 31.1 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.5 Hz to 2.7 Hz 45.7 dBm + 200 C 31.1 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1212-3-16 LDMOS 1.805 GHz to 2.17 GHz 45.1 W + 150 C 33 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1212-3-16 LDMOS 1.805 GHz to 2.17 GHz 48.4 dBm + 150 C 28.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 728 MHz to 821 MHz 5 W + 125 C 17.8 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 859 MHz to 960 MHz 5 W + 125 C 21 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 8 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 45.9 dBm + 200 C 31.3 dB Reel