Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.805 GHz to 2.17 GHz 90 W + 225 C 17.2 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.805 GHz to 2.17 GHz 90 W + 225 C 17.2 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount H-37248-4 Si 1.8 GHz to 2.2 GHz 120 W 16.5 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

RF MOSFET Transistors Screw Mount H-37248-4 Si 1.8 GHz to 2.2 GHz 120 W 16.5 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 17.7 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 17.7 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount HB2SOF-8-1 Si 2.62 GHz to 2.69 GHz 400 W + 225 C 13.5 dB Reel
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 1.625 GHz 80 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 3.6 GHz 8 W + 200 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 MHz 250 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz 80 W + 200 C 17.3 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244F Si 250 MHz 1 kW - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 3 000

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 9 000
Mult.: 9 000
: 3 000

RF Bipolar Transistors Bipolar Si Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT343-4 Bipolar Si 25 GHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

RF Bipolar Transistors SOT-343-4 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 6 000
Mult.: 6 000
: 3 000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343 Bipolar Si 45 GHz AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 15 000
Mult.: 15 000
: 3 000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23 Bipolar Si 8 GHz - 65 C + 150 C AEC-Q100 Reel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 26 dBm + 150 C 10 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 22 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.3 GHz to 2.4 GHz 50 W + 225 C 14.3 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.3 GHz to 2.4 GHz 50 W + 225 C 14.3 dB Reel