Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
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841-MRFE6S9060NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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TO-270
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
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RF MOSFET Transistors
Si
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DFN-16
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
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841-AFV09P350-04NR3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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RF MOSFET Transistors
Si
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OM-780-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
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841-AFM906NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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HVSON-16
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TEA2206T/1J
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Rectificadores en puente TEA2206T/1
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SOIC-8
Rectificadores en puente TEA2208T/1
TEA2208T/1J
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Rectificadores en puente TEA2208T/1
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Bridge Rectifiers
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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OM-1230-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
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841-MRFE6VP5600HR6
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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NI-1230
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
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841-AFT09MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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RF MOSFET Transistors
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TO-270-2
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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RF MOSFET Transistors
Si
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TO-220-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
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841-AFT05MP075GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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Si
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TO-270-WBG-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
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771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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RF MOSFET Transistors
Si
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TO-247-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
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841-AFT05MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
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841-MRFE6VP6300HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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RF MOSFET Transistors
Si
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NI-780-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
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841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
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771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
19 En existencias
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₡231 884,00
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₡200 732,20
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₡200 732,20
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RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230H-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
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₡202 652,00
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N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
OM-1230-4
Rectificadores en puente TEA2209T/1
TEA2209T/1J
NXP Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
771-TEA2209T/1J
NXP Semiconductors
Rectificadores en puente TEA2209T/1
1 131 En existencias
1
₡3 659,80
10
₡2 766,60
25
₡2 540,40
100
₡2 291,00
250
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2 500
₡1 635,60
250
₡2 175,00
500
₡2 134,40
1 000
₡1 641,40
2 500
₡1 635,60
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Bridge Rectifiers
SMD/SMT
SOIC-16
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
154 En existencias
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₡29 887,40
10
₡23 542,20
100
₡21 796,40
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₡20 868,40
1 000
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
₡2 273,60
6 129 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
6 129 En existencias
1
₡2 273,60
10
₡1 571,80
100
₡1 345,60
500
₡1 299,20
1 000
₡1 252,80
2 000
₡1 212,20
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
₡13 525,60
517 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
517 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
₡6 861,40
923 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
923 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡6 861,40
10
₡4 866,20
100
₡4 193,40
500
₡4 013,60
1 000
₡3 845,40
2 000
Ver
2 000
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
₡11 884,20
484 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
484 En existencias
1
₡11 884,20
10
₡9 053,80
100
₡8 096,80
500
₡8 015,60
1 000
₡7 806,80
2 000
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2 000
Presupuesto
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
₡226 060,80
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
20 En existencias
1
₡226 060,80
10
₡195 639,80
50
₡195 639,80
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Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
₡336 405,80
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230