Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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AFV09P350-04NR3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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NI-780-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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NI-1230H-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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OM-1230-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
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841-AFT05MP075NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
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RF MOSFET Transistors
Si
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TO-270-WB-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
6 272 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
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SOT-89-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
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N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
517 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
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841-AFT09MS007NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
484 En existencias
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₡11 884
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₡9 054
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₡8 097
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₡8 016
1 000
₡7 807
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
21 En existencias
1
₡226 061
10
₡195 640
50
₡195 640
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230H-4S
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
₡336 406
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N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
₡244 000
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350 En pedido
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
104 En existencias
350 En pedido
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1
₡244 000
10
₡204 949
50
₡204 949
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230H-4
N-Channel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU520YX
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NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
22 446 En existencias
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₡551
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₡357
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₡293
3 000
₡293
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Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
NPN
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU530WF
NXP Semiconductors
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Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WF
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
7 220 En existencias
9 960 En pedido
1
₡522
10
₡360
100
₡228
500
₡141
1 000
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10 000
₡56,8
1 000
₡104
2 500
₡96,3
5 000
₡80
10 000
₡56,8
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Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
NPN
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
BFU530WX
NXP Semiconductors
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11 270 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WX
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
11 270 En existencias
1
₡302
10
₡194
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₡160
500
₡149
3 000
₡141
6 000
Ver
1 000
₡144
6 000
₡140
9 000
₡130
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
NPN