NexFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm 39 060En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 040
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 12 V 14.4 A 9.3 mOhms - 8 V, 8 V 580 mV 5.1 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET 35 085En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 25 V 5 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET 3 284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 5 A 2.4 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 14 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Pwr MOSF ET 11 796En existencias
2 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 360
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 4.5 mOhms - 8 V, 10 V 900 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET 2 250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 2.2 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 18 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T 3 461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 4.8 mOhms - 8 V, 10 V 1.2 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 5 308En existencias
2 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 2.9 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 8 034En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 5.3 mOhms - 12 V, 16 V 1.4 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T 4 967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD16570Q5BT 1 647En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 590 uOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 192 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET 2 257En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 19 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 3 652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.4 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 18 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 3 555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 2.8 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T 24 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 920
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET 6 093En existencias
2 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 12.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.6 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A 5 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T 2 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 39 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT 2 026En existencias
2 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17575Q3T 22 348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 182 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 23 nC - 55 C + 150 C 108 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT 44 321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 83 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT 15 454En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 17.1 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT 15 956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT 1 829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 150 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT 8 618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 153 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT 2 069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 98 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel