297 Transistores

Resultados: 36
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2PB709ARL/SOT23/TO-236AB 14 590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002AKW/SOT323/SC-70 68 564En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS 9 798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9 832
: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1110D-3 NPN

Infineon Technologies Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A 897En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel