Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡905
944 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R1K0CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
944 En existencias
1
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₡253
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
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371 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
371 En existencias
1
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₡444
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₡328
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
1:
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726-DFW1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
30 En existencias
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IGBT Modules
SiC
Press Fit
Module
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
FF600R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
1:
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726-FF600R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
9 En existencias
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2PB709ARL/SOT23/TO-236AB
2PB709ARL,235
Nexperia
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771-2PB709ARL,235
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2PB709ARL/SOT23/TO-236AB
14 590 En existencias
Embalaje alternativo
1
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002AKW/SOT323/SC-70
NX7002AKW,115
Nexperia
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771-NX7002AKW,115
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002AKW/SOT323/SC-70
68 564 En existencias
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₡24,4
3 000
₡17,4
6 000
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS
BC847BQB-QZ
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser
771-BC847BQB-QZ
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS
9 798 En existencias
1
₡122
10
₡76
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₡47,6
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₡34,8
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5 000
₡26,7
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5 000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
DFN-1110D-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
+2 imágenes
SMBT 2907A E6327
Infineon Technologies
1:
₡261
897 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-SMBT2907AE6327
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
897 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡261
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₡180
100
₡114
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₡71,9
1 000
₡62,6
3 000
₡42,9
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3 000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
1:
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Embalaje alternativo
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₡3 602
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₡2 413
100
₡1 740
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₡1 641
1 000
₡1 531
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Mult.: 1
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1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
IPI60R125CP
Infineon Technologies
500:
₡1 531
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R125CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R125CP
Infineon Technologies
1 000:
₡1 531
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel