Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
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Resultados: 983
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
78En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 40Vds 350mW
Hoja de datos
6 690En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V 40 V 50 mA to 150 mA 50 mA 30 Ohms 350 mW - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor PN4393 PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 40Vgd N-Ch JFET 100 Rdson 625mW
Hoja de datos
408En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 25Vds JFET 25Vdg 25Vgs 310mA
Hoja de datos
2 218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk
Central Semiconductor PN4391 PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW 30 Ohm
Hoja de datos
1 449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel Bulk
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1 210En existencias
1 200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
1 727En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
2 036En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
2 838En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IFN160 Reel, Cut Tape
Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current
Hoja de datos
1 247En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V - 1.2 V 23 mA - 40 C + 125 C JFE2140 Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor 2N4093 PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) . .
Hoja de datos
872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
2 445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IFN160 Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -50V Low Ciss
Hoja de datos
2 911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IFN160 Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Ciss
Hoja de datos
2 929En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IFN202 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
Central Semiconductor 2N4857A PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 40V N-Ch 40Vdg 40Vgsr 50mA 360mW
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1 066En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel Bulk
Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra-low-noise low -gate-current audio
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2 069En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-5 N-Channel Single 40 V - 40 V - 1.2 V 50 mA - 40 C + 125 C JFE150 Reel, Cut Tape, MouseReel
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Ciss
Hoja de datos
2 050En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IFN201 Reel, Cut Tape

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH J-FET SOT-883
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7 921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel Single - 30 V - 600 mV 3 mA 10 mA TF412 Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Noise
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3 209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube