Transistores

 Transistores
Transistors are in stock with same-day shipping at Mouser Electronics from industry leading manufacturers.  Mouser is an authorized distributor for many transistor manufacturers including Diodes Inc., Infineon, IXYS, Nexperia, onsemi, ROHM, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba, Vishay & more. You can buy many types of transistors at Mouser including, Bipolar transistors, Darlington transistors, MOSFETs, RF transistors, JFETs & more. Please view our large selection of transistors below.
Resultados: 46 609
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 42 174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET 16 151En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET 52 024En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET 32 938En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 21 734En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power 145 280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP. 148 161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-563-6 NPN, PNP
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 270 714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 153 710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 79 850En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 7 871En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds 8 999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET 855En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 1 148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2 003En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS 408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A 686En existencias
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT 1 397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1 266En existencias
150Se espera el 21/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS 389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 45 212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

GaN FETs GaN NI-200

Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A 59 562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL 331 235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A 158 475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel