Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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PowerFLAT-5x6-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
FDA59N25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
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TO-3PN-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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FDD18N20LZ
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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MOSFETs
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SOIC-8
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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SOT-23-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
NPN, PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
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726-IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
7 871 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
IXYS
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747-IXFA10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
IXFK240N25X3
IXYS
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747-IXFK240N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
855 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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IXFX64N60P
IXYS
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747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
1 148 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
IXYS
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747-IXTA86N20X4
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
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747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
IXYS
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N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
686 En existencias
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-PLUS-3
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
IXYS
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N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
IXYS
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
1 397 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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IXYX110N120B4
IXYS
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1 266 En existencias
150 Se espera el 21/5/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
1 266 En existencias
150 Se espera el 21/5/2026
1
₡13 972
10
₡10 388
120
₡9 390
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
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389 En existencias
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755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
389 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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45 212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45 212 En existencias
1
₡2 407
10
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100
₡1 119
500
₡1 015
1 000
₡945
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3
Qorvo
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129 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-T2G6001528-Q3
Qorvo
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
129 En existencias
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Detalles
GaN FETs
GaN
NI-200
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
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SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
₡603
59 562 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59 562 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡603
10
₡321
100
₡233
500
₡191
3 000
₡147
6 000
Ver
1 000
₡173
6 000
₡143
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3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡400
331 235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
331 235 En existencias
1
₡400
10
₡248
100
₡160
500
₡121
3 000
₡92,8
6 000
Ver
1 000
₡109
6 000
₡84,7
9 000
₡80,6
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
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SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
158 475 En existencias
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₡783
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₡493
100
₡327
500
₡255
1 000
₡232
3 000
₡205
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Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel