IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
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511-STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
BIDW50N65T
Bourns
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652-BIDW50N65T
Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMBG120R080M1XTMA1
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
1 330 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5ATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
IKQ75N120CS7XKSA1
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726-IKQ75N120CS7XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TO-252 50V 7A PWR TRANS
2SAR583D3FRATL
ROHM Semiconductor
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755-2SAR583D3FRATL
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TO-252 50V 7A PWR TRANS
1 718 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
5 047 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET
R6035KNZ4C13
ROHM Semiconductor
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755-R6035KNZ4C13
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET
560 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
SCT4026DW7HRTL
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
2 010 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
SCT4026DW7TL
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755-SCT4026DW7TL
ROHM Semiconductor
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2 008 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TO-263-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
8 586 En existencias
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MOSFETs
Si
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PowerPAK SO-8L
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C120400B7S
onsemi
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onsemi
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1 920 En existencias
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800
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
4 390 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
RD3L07BBGTL1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
4 631 En existencias
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₡789
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2 500
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
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SCT4018KW7TL
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
1 145 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
SCT4062KEHRC11
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser
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ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
499 En existencias
1
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
+1 imagen
SSM6J808R,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
26 948 En existencias
1
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₡125
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1 000
₡149
6 000
₡118
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MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A
PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR98-25YLEX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A
1 985 En existencias
1
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1 000
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1 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-669-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
+2 imágenes
SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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40 560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
40 560 En existencias
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3 000
₡112
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Ver
1 000
₡131
6 000
₡103
9 000
₡102
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3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
NVH4L025N065SC1
onsemi
1:
₡13 868
425 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L025N065SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
425 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET
Vishay TN2404K-T1-BE3
TN2404K-T1-BE3
Vishay
1:
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2 203 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-TN2404K-T1-BE3
Nuevo en Mouser
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET
2 203 En existencias
1
₡563
10
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1 000
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1 000
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6 000
₡111
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₡103
24 000
₡92,8
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0606-3 T&R 10K
Diodes Incorporated DMP22D3UFZ-7B
DMP22D3UFZ-7B
Diodes Incorporated
1:
₡110
9 600 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMP22D3UFZ-7B
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0606-3 T&R 10K
9 600 En existencias
1
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500
₡29
1 000
Ver
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₡19,1
10 000
₡13,9
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Carrete :
10 000
Detalles
MOSFETs
MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
UF4SC120023K4S
onsemi
1:
₡14 285
746 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF4SC120023K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
746 En existencias
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
IKY50N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 120
425 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKY50N120CH7XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
425 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors