Transistores de RF

Transistores de RF
RF Transistors are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many RF transistor manufacturers including Infineon, MACOM, NXP, Qorvo, STMicroelectronics & more. Please view our large selection of RF transistors below.
Resultados: 926
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 1.2 kW + 225 C 19 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 1.2 kW + 225 C 19 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.427 GHz to 1.518 GHz 600 W - 40 C + 125 C 17.4 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.427 GHz to 1.518 GHz 600 W - 40 C + 125 C 17.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel