Transistores de RF

Transistores de RF
RF Transistors are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many RF transistor manufacturers including Infineon, MACOM, NXP, Qorvo, STMicroelectronics & more. Please view our large selection of RF transistors below.
Resultados: 926
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.2 GHz 60 W + 225 C 17.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.2 GHz 60 W + 225 C 17.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1271-2-5 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1271-2-5 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 160 W + 225 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 125 C 18.9 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 125 C 18.9 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-2-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 125 C 17.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-600A/SOT993/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-2-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 125 C 17.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 400 MHz to 1 GHz 60 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 400 MHz to 1 GHz 60 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 915 MHz 750 W + 225 C 21.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 21.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 1.3 GHz 750 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 140 W + 225 C 19 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 140 W + 225 C 19 dB Tray