Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies IPLT60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 20 V 4.7 V 43 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC060N06NM6ATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 996En existencias
446En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
329En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 115 mOhms 20 V 5 V 83 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement
STMicroelectronics STL059N4S8AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Hoja de datos
131En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
: 3 000

AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0
Hoja de datos
1 050En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 2.3 mOhms 20 V 2.4 V 113 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
Hoja de datos
1 125En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
Hoja de datos
27 081En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 40 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
206En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
238En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
339En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Infineon Technologies IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms 20 V 4.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 186 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Hoja de datos
541En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
Hoja de datos
4 520En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
Hoja de datos
1 332En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
Hoja de datos
2 030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2319DDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2 214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2393DS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SI2392BDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 2 867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIB5215DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SIRA12DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI2399BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2 836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Semiconductors SI1425DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2 946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1