Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B
CSD16570Q5BT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B
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Infineon Technologies
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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Vishay Semiconductors
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
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Diodes Incorporated
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TN5335K1-G
Microchip Technology
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Microchip Technology
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Si
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Si
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Diodes Incorporated
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Detalles
Si
SMD/SMT
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Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
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Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Detalles
Si
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FQD13N10LTM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
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Si
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Texas Instruments
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Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
29 450 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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Detalles
Si
SMD/SMT
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
30 A
15.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
72 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
18.6 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
80 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
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TSOP-6
P-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
72 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18.1 nC
- 55 C
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1.1 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
FDC608PZ
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Si
SMD/SMT
SSOT-6
P-Channel
1 Channel
20 V
5.8 A
30 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
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PowerTrench
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
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Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.5 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
41 W
Enhancement
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