Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
1:
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689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
20 623 En existencias
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₡1 943,00
25
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
250 V
1.1 A
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
7.04 nC
- 55 C
+ 150 C
Depletion
Tray
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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726-IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
28 963 En existencias
1
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10
₡1 629,80
100
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2 000
₡980,20
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Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
202 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
96 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1:
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78-SIHB065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
5 620 En existencias
1
₡4 152,80
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500
₡2 215,60
1 000
₡1 600,80
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
74 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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₡2 053,20
37 965 En existencias
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78-SQJQ402E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
37 965 En existencias
16 000 En pedido
1
₡2 053,20
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500
₡817,80
2 000
₡771,40
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8x8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
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- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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781-SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
33 764 En existencias
1
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₡354,96
6 000
₡331,76
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
35 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
47.5 nC
- 55 C
+ 150 C
35.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
+1 imagen
IRFP064NPBF
Infineon Technologies
1:
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14 200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFP064NPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
14 200 En existencias
1
₡1 896,60
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₡864,20
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₡713,40
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
55 V
110 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1212 P-CH 20V 4A
RV7C040BCTCR1
ROHM Semiconductor
1:
₡464,00
3 015 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RV7C040BCTCR1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1212 P-CH 20V 4A
3 015 En existencias
1
₡464,00
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₡139,20
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6 000
Ver
1 000
₡125,28
6 000
₡96,86
9 000
₡94,54
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-1212-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
63 mOhms
- 8 V, 8 V
1.2 V
6.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K336NW,LXHF
Toshiba
1:
₡435,00
2 900 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K336NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2 900 En existencias
1
₡435,00
10
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6 000
Ver
1 000
₡121,22
6 000
₡94,54
9 000
₡88,74
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Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
95 mOhms
20 V
2.5 V
1.7 nC
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS7682
onsemi
1:
₡655,40
128 007 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7682
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
128 007 En existencias
1
₡655,40
10
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₡209,38
500
₡179,80
1 000
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3 000
₡158,34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
30 V
22 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.9 V
9.9 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
PowerTrench
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
+2 imágenes
FQT1N80TF-WS
onsemi
1:
₡887,40
72 844 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FQT1N80TF_WS
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
72 844 En existencias
1
₡887,40
10
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500
₡292,32
1 000
Ver
4 000
₡240,70
1 000
₡251,72
2 000
₡240,70
4 000
₡240,70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
800 V
200 mA
20 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
7.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
CSD13380F3T
Texas Instruments
1:
₡771,40
52 606 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-CSD13380F3T
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
52 606 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡771,40
10
₡486,04
100
₡278,40
250
₡278,40
500
₡237,22
1 000
Ver
1 000
₡212,86
2 500
₡203,58
5 000
₡198,94
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
250
Detalles
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.6 A
76 mOhms
- 8 V, 8 V
550 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡1 270,20
29 732 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29 732 En existencias
1
₡1 270,20
10
₡806,20
100
₡563,76
500
₡450,08
1 000
₡426,30
2 500
₡405,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
50 A
12.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 177,40
25 930 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
25 930 En existencias
1
₡1 177,40
10
₡754,00
100
₡509,82
500
₡404,84
1 000
₡381,64
2 500
₡361,92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
100 V
19.7 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK
BUK6M61-60PX
Nexperia
1:
₡858,40
1 472 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
771-BUK6M61-60PX
Nuevo producto
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK
1 472 En existencias
1
₡858,40
10
₡540,56
100
₡359,02
500
₡283,62
1 000
₡255,20
1 500
₡225,04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Detalles
SMD/SMT
P-Channel
60 V
27 A
100 mOhms
- 2 V
1.7 V
- 55 C
+ 175 C
99 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1:
₡986,00
2 452 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ142EP-T1_JE3
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2 452 En existencias
1
₡986,00
10
₡614,80
100
₡399,04
500
₡307,40
1 000
₡277,82
3 000
₡222,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
40 V
167 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
191 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 873,40
130 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
130 En existencias
1
₡1 873,40
10
₡1 218,00
100
₡893,20
500
₡748,20
1 000
₡696,00
2 000
₡649,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
1:
₡574,20
2 870 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K361NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2 870 En existencias
1
₡574,20
10
₡353,22
100
₡241,28
500
₡189,66
3 000
₡137,46
6 000
Ver
1 000
₡162,40
6 000
₡127,02
9 000
₡121,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
100 V
3.5 A
69 mOhms
20 V
2.5 V
3.2 nC
+ 175 C
4.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 914,00
160 En existencias
200 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
160 En existencias
200 En pedido
1
₡1 914,00
10
₡1 310,80
100
₡1 113,60
500
₡893,20
1 000
₡875,80
2 000
₡875,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
SIHFU024-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡742,40
576 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU024-GE3
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
576 En existencias
1
₡742,40
10
₡468,06
100
₡309,72
500
₡254,62
3 000
₡201,26
6 000
Ver
1 000
₡237,22
6 000
₡182,70
9 000
₡178,06
24 000
₡174,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT205 2NCH 40V 40A
PSMN6R1-40HLX
Nexperia
1:
₡1 276,00
16 042 En existencias
1 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN6R1-40HLX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT205 2NCH 40V 40A
16 042 En existencias
1 500 En pedido
1
₡1 276,00
10
₡812,00
100
₡539,40
500
₡412,96
1 000
₡400,20
1 500
₡361,92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
LFPAK-56D-8
N-Channel
2 Channel
40 V
40 A
7.2 mOhms
- 10 V, 10 V
2.1 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
64 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A
SIR4411DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 102,00
3 259 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIR4411DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A
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1
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
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Enhancement
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A
PSMNR56-25YLEX
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771-PSMNR56-25YLEX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A
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Si
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LFPAK-56E-4
N-Channel
1 Channel
25 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ180EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ180EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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Si
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N-Channel
1 Channel
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248 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
BSC105N15LS5ATMA1
Infineon Technologies
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726-BSC105N15LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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SuperSO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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DMTH41M2SPSQ-13
Diodes Incorporated
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621-DMTH41M2SPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
225 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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